+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Микросхема 504НТ3Б

504НТ3Б

227.74 руб

Цена с НДС

+ -
В корзину
504НТ3Б
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ3Б представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
Корпус типа 3101.8-1.
Технические условия: АЕЯР.431410.179 ТУ.

Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 50000 ч – в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 60000 ч – в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.

Параметры, характеристики, описание:

504НТ3Б

Технические характеристики: Скачать PDF файл

Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.