+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Микросхема 504УН1Б

504УН1Б

195.88 руб

Цена с НДС

+ -
В корзину
504УН1Б
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1Б представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).
Содержат 5 интегральных элементов. Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г.

Параметры, характеристики, описание:

504УН1Б

Технические характеристики: Скачать PDF файл

Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.