+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Микросхема 159НТ1А

159НТ1А

260.78 руб

Цена с НДС

+ -
В корзину
159НТ1А
Микросхемы 159НТ1А  представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.

Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1А:
  - Напряжение коллектор-база .......... 20 В
  - Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
  - Напряжение между транзисторами .......... 20 В
  - Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
  - Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
  - Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт

Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.

Параметры, характеристики, описание:

159НТ1А

Технические характеристики: Скачать PDF файл

Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.