+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы полевые

Цены приведены с учетом НДС

2П103А
Транзисторы 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000 ТУ.
101.48 руб
2П103АР
Транзисторы 2П103АР, 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа подобранные в пары по основным электрическим параметрам: начальному току стока, крутизне характеристики, напряжению отсечки.
Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Пары транзисторов 2П103АР, 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР дополнительно маркируются черной точкой на верхней части корпуса.
Пары упаковываются в тару, исключающую возможность их разукомплектования в процессе транспортировки.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000ТУ/Д1.
2П103Б
Транзисторы 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000 ТУ
116.82 руб
2П103В
Транзисторы 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000 ТУ
2П103Г
Транзисторы 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000 ТУ
2П103Д
Транзисторы 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ТФ3.365.000 ТУ
100.30 руб
2П202Д-1
Транзистор 2П202Д-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий.
Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Технические условия: ТФ0.336.010ТУ/Д3.
2П202Е-1
Транзистор 2П202Е-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий.
Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Технические условия: ТФ0.336.010ТУ/Д3.
2П301А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса для транзисторов 2П301А, 2П301Б, 2П301В: КТ-1-14.
Технические условия: АЕЯР.432140.534 ТУ.
Тип корпуса для транзисторов 2П301А1, 2П301Б1, 2П301В1: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.
Масса транзистора не более 0,7 г.
142.78 руб
2П301Б
Транзисторы 2П301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса для транзисторов 2П301А, 2П301Б, 2П301В: КТ-1-14.
Технические условия: АЕЯР.432140.534 ТУ.
Тип корпуса для транзисторов 2П301А1, 2П301Б1, 2П301В1: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.
Масса транзистора не более 0,7 г.

Основные технические характеристики транзистора 2П301Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,7... 5,4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 2,6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5 дБ на частоте 100 МГц
233.64 руб
2П301В
Транзисторы 2П301В кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса для транзисторов 2П301А, 2П301Б, 2П301В: КТ-1-14.
Технические условия: АЕЯР.432140.534 ТУ.
Тип корпуса для транзисторов 2П301А1, 2П301Б1, 2П301В1: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.
Масса транзистора не более 0,7 г.

Основные технические характеристики транзистора 2П301В:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,7 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 2,6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ.
233.64 руб
2П302А
Транзисторы 2П302А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах  и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12.
Тип корпуса для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П302А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 24 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...24 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• S - Крутизна характеристики: 5... 12 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс;
101.48 руб
2П302Б
Транзисторы 2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах  и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12.
Тип корпуса для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П302Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 7 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 43 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 18...43 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 7 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 150 Ом;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс
119.18 руб
2П302В
Транзисторы 2П302В кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах  и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12.
Тип корпуса для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П302В:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 3... 10 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 12 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 33 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 100 Ом;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс
119.18 руб
2П303А
Транзисторы 2П303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 2 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 0,5...3  мА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.
2П303Б
Транзисторы 2П303Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 0,5...2 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.
2П303В
Транзисторы 2П303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303В:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2... 5 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.
2П303Г
Транзисторы 2П303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Г:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...12 мА;
• S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.
2П303Д
Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Д:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...9 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 2,6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц
2П303Е
Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Е:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 5...20 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.