+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диодные сборки и матрицы

Цены приведены с учетом НДС

2Д222АС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222БС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222ВС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222ГС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222ЕС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д269АС91
Диодная сборка 2Д269АС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
2Д269БС91
Диодная сборка 2Д269БС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
2Д269ГС91
Диодная сборка 2Д269ГС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
2Д273АС
Диод 2Д273АС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2 (ТО-220АС, ТО-220АВ).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д273АС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 25 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1800 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,7 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
2Д273АС91
Диодная сборка 2Д273АС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.
2Д273БС
Диод 2Д273БС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2 (ТО-220АС, ТО-220АВ).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.
2Д273БС91
Диодная сборка 2Д273БС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.
2Д273ВС
Диод 2Д273ВС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2 (ТО-220АС, ТО-220АВ).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д273ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1400 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
2Д273ВС91
Диодная сборка 2Д273ВС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.
2Д273ЕС
Диод 2Д273ЕС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2 (ТО-220АС, ТО-220АВ).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ

Основные технические характеристики диода 2Д273ЕС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,15 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
2Д273ЕС91
Диодная сборка 2Д273ЕС91 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-90.
Технические условия: АЕЯР.432120.217ТУ.
2Д290АС9
Диодная сборка 2Д290АС9 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-89.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
2Д290БС9
Диодная сборка 2Д290БС9 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-89.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
2Д290ВС9
Диодная сборка 2Д290ВС9 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-89.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
2Д290ГС9
Диодная сборка 2Д290ГС9 кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-89.
Технические условия: АДБК.432120.217ТУ.
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.