+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В для работы в усилительных и переключающих схемах, защиты и автоматики аппаратуры общего и специального назначения



Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В для работы в усилительных и переключающих схемах, защиты и автоматики аппаратуры общего и специального назначения


Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В для работы в усилительных и переключающих схемах, электронных системах управления, защиты и автоматики аппаратуры общего и специального назначения.

Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В - кремниевые мезапланарные структуры n-p-n мощные.

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, защиты и автоматики аппаратуры общего и специального назначения.

Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами КТ-9 ГОСТ 18472-82. Климатическое исполнение: 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В - УХЛ и В при условии их защиты многослойным лаковым покрытием в составе аппаратуры; КТ827А, КТ827Б, КТ827В - УХЛ, категории размещения 3.1, 5.1.

Масса транзисторов не более 20 г.

Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В соответствуют техническим условиям аА0.339.119 ТУ.
Транзисторы КТ827А, КТ827Б, КТ827В соответствуют техническим условиям аА0.336.356 ТУ.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В


Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

Основные технические характеристики транзисторов 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В:

Параметр 2Т827А 2Т827Б 2Т827В КТ827А КТ827Б КТ827В
Iк max, А 20 20 20 20 20 20
Iк, и max, А 40 40 40 40 40 40
Uкэ0 гр, В 100 80 60 100 80 60
Uкб0 max, В 100 80 60 100 80 60
Uэб0 max, В 5 5 5 5 5 5
Рк max, Вт 125 125 125 125 125 125
при Тк, ºС 25 25 25 25 25 25
Тп max, ºС 200 200 200 200 200 200
Тк max, ºС 125 125 125 100 100 100
h21Э 750…18000 750…18000 750…18000 750…18000 750…18000 750…18000
Uкэ, В 3 3 3 3 3 3
Iк, А 10 10 10 10 10 10
Uкэ нас, В 2 2 2 2 2 2
IкэR, мА 3 3 3 3 3 3
fгр, МГц 4 4 4 4 4 4
Ск, пФ 400 400 400 400 400 400
Сэ, пФ 350 350 350 350 350 350
tвкл, мкс 1 1 1 1 1 1
tвыкл, мкс 6 6 6 6 6 6
Rт п-к, ºС/Вт 1,4…10,9 1,4…10,9 1,4…10,9 1,4…10,9 1,4…10,9 1,4…10,9

Обозначения параметров в таблице:

- Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;
- Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;
- Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;
- Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;
- Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;
- Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
- Тк - температура корпуса;
- Тп max - максимально допустимая температура перехода;
- Тк max - максимально допустимая температура корпуса;
- h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;
- Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;
- Iк - постоянный ток коллектора;
- Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
- IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер;
- fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;
- Ск - емкость коллекторного перехода;
- Сэ - емкость эмиттерного перехода;
- tвкл - время включения для биполярного транзистора;
- tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;
- Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.

Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.

Возврат к списку новостей