+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

2Т399А кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор, технические характеристики, параметры



2Т399А кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор, технические характеристики, параметры



Кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор 2Т399А в металлостеклянном корпусе, предназначенный для работы в усилительных схемах. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. 


  • Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
  • Тип прибора указывается на корпусе. 
  • Масса транзистора не более 1 г. 
  • Технические условия: СБ0.336.066 ТУ.

2Т399А, КТ399А

Рис.1. Габаритные размеры и схема расположения выводов транзистора 2Т399А.


Основные электрические параметры 2Т399А:

(при t=25±10) C


Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Норма
не менее не более
Статический коэффициент передачи тока, (UКБ=1В, IК=5мА) 40 -
Обратный ток коллектора, мкА (UКБ=15В) - 0,5
Обратный ток эмиттера, мкА (UЭБ=3В) - 1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3∙108Гц) 6 -
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3∙107 Гц) - 8
Емкость коллекторного перехода, пФ (UЭБ=5В, f=3∙107 Гц) - 1,7
Емкость эмиттерного перехода, пФ (UЭБ=1В, f=3∙107 Гц) - 3
Коэффициент шума, дБ (UКБ=5В, IЭ=5мА, f=3∙108 Гц, Rr-оптимальное по КТД) - 2

Содержание драгоценных металлов в 1000 шт.

  • золото - 10,4118 гр.
  • в том числе:
  • золото - 9,6∙10-5 гр/мм на четырёх выводах длинной 13.5 мм.

Сведения о приёмке:

  • Транзисторы 2Т399А соответствуют техническим условиям: СБ0.336.066 ТУ.
  • Транзисторы ОСМ 2Т399А соответствуют техническим условиям: СБ0.336.066ТУ, П0.070.052.

Возврат к списку новостей