+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В, диоды кремниевые с барьером Шоттки, технические характеристики, параметры



2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В, диоды кремниевые с барьером Шоттки, технические характеристики, параметры


2Д419



Диоды кремниевые импульсные с барьером Шоттки 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс.

Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. 

■ Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

■ Тип диода приводится на корпусе. 

■ Отрицательный вывод со стороны кристалла.

■ Технические условия: аА0.339.156ТУ, ПО.070.052.




2Д419_1



Электрические параметры при Т=25 С:


Параметр

Значение

Iпр=1 мА 0,4 В
Iпр=0.1 мА 0,15 В
При Т=-60 С и Iпр=0,1 мА 0,5 В
Постоянный обратный ток при Uобр=15В, не более 10 мкА
Общая ёмкость диода при Uобр=0, не более 1,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное обратное напряжение при Т≤+35 С

2Д419А 15 В
2Д419Б 30 В
2Д419В 50 В

Постоянное обратное напряжение при Т=+125 С

2Д419А 10 В
2Д419Б 24 В
2Д419В 40 В
Постоянный выпрямленный ток 10 мА
Температура окружающей среды -60…+125 С

Масса диода: не более 0,035 г.

Производитель: ОАО «Оптрон»


Возврат к списку новостей