+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643А-5, 2Т643Б-2, КТ643А-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем



Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643А-5, 2Т643Б-2, КТ643А-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем


▼ Транзисторы n-p-n 2Т643А-2, 2Т643А-5, 2Т643Б-2, КТ643А-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем..

Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 2…8 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от неблагоприятной окружающей среды.


Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, КТ643А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Климатическое исполнение УХЛ. Транзистор 2Т643А-5 выполнен в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и выводов.

На транзисторы наносится условная маркировка: 2Т643А-2 - зеленая точка, 2Т643Б-2 - желтая точка, КТ643А-2 - две зеленые точки.

Масса бескорпусного транзистора - не более 0,2 г, кристалла - не более 0,0001 г.


Изготовитель - завод «Пульсар», г. Москва.


Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2 соответствуют техническим условиям аА0.339.138 ТУ.


Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т643А-2, 2Т643А-5, 2Т643Б-2, КТ643А-2


Рис.1 Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т643А-2, 2Т643А-5, 2Т643Б-2, КТ643А-2.

Основные технические характеристики транзисторов:

Параметр 2Т643А-2 2Т643А-5 2Т643Б-2 КТ643А-2
Iк max, мА

120

120

120

120

Uпит max, В

15

-

15

15

Uкб0 max, В

25

25

25

25

Uэб0 max, В

3

3

3

3

Р max, Вт

1,1

1,1

1,1

1,1

Тк, ºС

50

50

50

50

Тп max, ºС

150

150

150

150

Тк max, ºС

125

125

125

125

Iкбо, мА

1

1

1

1

h21Э

-

-

50…150

-

fгр, ГГц

7

7

7

3,8

Pвых, мВт

480

480

480

450

Кур

-

-

-

2,5

Ск, пФ

1,5

1,5

1,5

1,8

Сэ, пФ

7

7

7

7

Rт п-с, ºС/Вт

90

90

90

90


Обозначения параметров в таблице:

■ Iк max - максимально допустимый ток коллектора;

■ Uпит max - максимально допустимое напряжение питания;

■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Р max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ Iкбо - обратный ток коллектора;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Pвых - выходная мощность при рабочей частоте 7 ГГц;

■ Кур - коэффициент усиления по мощности при рабочей частоте 7 ГГц;

■ Ск - емкость коллекторного перехода;

■ Cэ - емкость эмиттерного перехода;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.


Значения Uпит max...Uэб0 max в таблице приведены при Тп = 25 ºС, значения Iкбо … Cэ - при Т = 25 ºС.


Возврат к списку новостей