+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем



Транзисторы 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем


▼ Транзисторы 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 для применения в усилительных и генераторных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.

Транзисторы 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 - кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1…7,2 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.


Транзисторы 2Т640А-2 соответствуют техническим условиям аА0.339.047 ТУ.


На транзисторы наносится условная маркировка:

• 2Т640А-2 - черная точка,

• КТ640А-2 - черная полоска,

• КТ640Б-2 - белая полоска,

• КТ640В-2 - синяя полоска.

Масса транзистора - не более 0,2 г.


Пайка выводов транзисторов допускается при температуре не выше + 260 ºС и не ближе 2 мм от корпуса. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при температуре + 150 ºС, время пайки - не более 3с.


Изготовитель - завод «Пульсар», г. Москва.



Расположение выводов транзисторов 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2

Рис.1 Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2.


Технические параметры транзисторов 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2:

Параметр 2Т640А-2 КТ640А-2 КТ640Б-2 КТ640В-2
Iк max, мА

60

60

60

60

Uкб0 max, В

25

25

25

25

Uэб0 max, В

3

3

3

3

Р max, Вт

0,6

0,6

0,6

0,6

Тк, ºС

60

60

60

60

Тп max, ºС

150

150

150

150

Тк max, ºС

125

125

125

125

Iкбо, мА

1

1

1

1

h21Э

не менее 15

не менее 15

не менее 15

не менее 15

fгр, ГГц

3

3

3,8

3,8

Pвых, мВт

100

100

100

80

Ск, пФ

1,3

1,3

1,3

1,3

Сэ, пФ

3

3

3

3

Rт п-с, ºС/Вт

150

150

150

150


Обозначения параметров в таблице:

■ Iк max - максимально допустимый ток коллектора;

■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Р max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ Iкбо - обратный ток коллектора;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Pвых - выходная мощность при рабочей частоте 7 ГГц;

■ Ск - емкость коллекторного перехода;

■ Cэ - емкость эмиттерного перехода;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус; tк - постоянная времени цепи обратной связи.


Значения Uкб0 max ,Uэб0 max в таблице приведены при Тп = 25 ºС, значения Iкбо … Cэ - при Т = 25 ºС.



Возврат к списку новостей