+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ для применения в усилительных и переключающих схемах электронной аппаратуры



Транзисторы 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ для применения в усилительных и переключающих схемах электронной аппаратуры


Транзисторы 2Т808А, КТ808А - кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключающие мощные; КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключающие мощные высоковольтные.

Предназначены для работы в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.


Изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Климатическое исполнение УХЛ, категории размещения для транзисторов КТ808А, КТ808АМ...КТ808ГМ - 2, 2.1, 3.1.


Масса транзисторов 2Т808А, КТ808А без накидного фланца - не более 22 г, с накидным фланцем - не более 34 г; КТ808АМ...КТ808ГМ - не более 20 г.

Транзисторы 2Т808А соответствуют техническим условиям ГЕ3.365.004 ТУ, КТ808А - ГЕ3.365.020 ТУ, КТ808АМ...КТ808ГМ - аА0.336.240 ТУ.


Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т808А, КТ808А.

Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т808А, КТ808А.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ.

Рис. 2. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ.

Технические характеристики транзисторов 2Т808А, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ:

Параметры 2Т808А КТ808А КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ КТ808ГМ
Iк max, А

10

10

10

10

10

10

Iк, и max, А

12

12

12

12

Uкэ0 гр, В

130

100

80

70

UкэR max, В

120

120

Uкб0 max, В

250

160

135

80

Uэб0 max, В

4

4

5

5

5

5

Рк max, Вт

50

50

60

60

60

60

Тк, ºС

50

50

50

50

50

50

Тп max, ºС

150

150

150

150

150

150

Тк max, ºС

125

100

Т max, ºС

125

125

125

125

h21Э

10…50

10…50

20…125

20…125

20…125

20…125

Uкэ, В

3

3

3

3

3

3

Iк, А

6

6

2

2

2

2

Uкэ нас, В

2

2

2

2

Iкбо, мА

2

2

2

2

IкэR, мА

3

3

fгр, МГц

8,4

8,4

10

10

10

10

Ск, пФ

500

500

tвкл, мкс

2

2

2

2

tвыкл, мкс

4

4

4

4

tрас, мкс

2

2

Rт п-к, ºС/Вт

2

2

1,67

1,67

1,67

1,67


Обозначения параметров в таблице:

■ Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;

■ Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

■ Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;

■ UкэR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер;

■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ Т max - максимально допустимая температура окружающей среды;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

■ Iк - постоянный ток коллектора;

■ Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

■ Iкбо - обратный ток коллектора;

■ IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Ск - емкость коллекторного перехода;

■ tвкл - время включения биполярного транзистора; tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;

■ tрас - время рассасывания для биполярного транзистора;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.


Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.


Возврат к списку новостей