+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ для применения в усилительных и переключающих устройствах



Транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ для применения в усилительных и переключающих устройствах


Транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ - кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах и другой аппаратуре широкого применения.
Транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами, 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г - в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Климатическое исполнение УХЛ, категории размещения для транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ - 2, 2.1, 3.1.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более 20 г, в пластмассовом - не более 2,5 г.


Транзисторы соответствуют техническим условиям:

  • 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В - аА0.339.142 ТУ;
  • 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2 - аА0.339.557 ТУ;
  • КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ - аА0.336.189 ТУ.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ.

Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г

Рис. 2. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.

Основные технические характеристики транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ:


Параметр 2Т819А 2Т819Б 2Т819В КТ819АМ КТ819БМ КТ819ВМ КТ819ГМ
Iк max, А 15 15 15 15 15 15 15
Iк, и max, А 20 20 20 20 20 20 20
Uкэ0 гр, В 80 60 40 25 40 60 80
Uкб0 max, В 100 80 60 - - - -
Uэб0 max, В 5 5 5 5 5 5 5
Рк max, Вт 100 100 100 100 100 100 100
Тк, ºС 25 25 25 25 25 25 25
Тп max, ºС 150 150 150 125 125 125 125
Тк max, ºС 125 125 125 100 100 100 100
h21Э 20 20 20 15 15 15 15
Uкб, В 5 5 5 5 5 5 5
Iк, А 5 5 5 5 5 5 5
Uкэ нас, В 1 1 1 2 2 2 2
Iкб0, мА - - - 1 1 1 1
fгр, МГц 3 3 3 3 3 3 3
Ск, пФ 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
tвыкл, мкс 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
Rт п-к, ºС/Вт 1,25 1,25 1,25 1 1 1 1

Основные технические характеристики транзисторов 2Т819А-2, 2Т819Б-2, 2Т819В-2, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г:

Параметр 2Т819А-2 2Т819Б-2 2Т819В-2 КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г
Iк max, А 15 15 15 10 10 10 10
Iк, и max, А 20 20 20 15 15 15 15
Uкэ0 гр, В 80 60 40 25 40 60 80
Uкб0 max, В 100 80 60 - - - -
Uэб0 max, В 5 5 5 5 5 5 5
Рк max, Вт 40 40 40 60 60 60 60
Тк, ºС 25 25 25 25 25 25 25
Тп max, ºС 150 150 150 125 125 125 125
Тк max, ºС 100 100 100 100 100 100 100
h21Э 20 20 20 15 15 15 15
Uкб, В 5 5 5 5 5 5 5
Iк, А - - - 5 5 5 5
Iэ, А 5 5 5 - - - -
Uкэ нас, В 1 1 1 2 2 2 2
Iкбо, мА - - - 1 1 1 1
fгр, МГц 3 3 3 3 3 3 3
Ск, пФ 700 700 700 1000 1000 1000 1000
Сэ, пФ 2000 2000 2000 - - - -
tвыкл, мкс 1,2 1,2 1,2 2,5 2,5 2,5 2,5
Rт п-к, ºС/Вт 3,13 3,13 3,13 1,67 1,67 1,67 1,67

Обозначения параметров в таблицах:

- Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;

- Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

- Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;

- Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

- Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

- Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

- Тк - температура корпуса;

- Тп max - максимально допустимая температура перехода;

- Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

- h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

- Uкб - постоянное напряжение коллектор-база;

- Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

- Iк - постоянный ток коллектора;

- Iэ - постоянный ток эмиттера;

- Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

- Iкбо - обратный ток коллектора;

- fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

- Ск - емкость коллекторного перехода;

- Сэ - емкость эмиттерного перехода;

- tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;

- Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.


Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.


Возврат к списку новостей