+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е для работы в линейных и ключевых схемах



Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е для работы в линейных и ключевых схемах


Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные. Предназначены для применения в усилителях, переключающих устройствах и другой аппаратуре широкого применения.


Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е изготавливаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами КТ-9.

Климатическое исполнение УХЛ.

Масса транзисторов не более 20 г.


  • Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.
  • Транзисторы КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е соответствуют техническим условиям аА0.336.306 ТУ.

Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е

Рис. 1. Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е.

Основные технические характеристики транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е:

Параметры 2Т825А 2Т825Б 2Т825В КТ825Г КТ825Д КТ825Е
Iк max, А 20 20 20 20 20 20
Iк, и max, А 40 40 40 30 30 30
Uкэ0 гр, В 80 60 45 70 45 25
Uэб0 max, В 5 5 5 5 5 5
Рк max, Вт 160 160 160 125 125 125
Тк, ºС 25 25 25 25 25 25
Тп max, ºС 175 175 175 150 150 150
Тк max, ºС 125 125 125 100 100 100
h21Э 500…18000 750…18000 750…18000 750 750 750
Uкб, В 10 10 10 10 10 10
Iэ, А 10 10 10 10 10 10
Uкэ нас, В 2 2 2 2 2 2
fгр, МГц 4 4 4 4 4 4
Ск, пФ 600 600 600 600 600 600
Сэ, пФ 600 600 600 600 600 600
tвкл, мкс 1 1 1 1 1 1
tвыкл, мкс 4,5 4,5 4,5 4,5 4,5 4,5
Rт п-к, ºС/Вт 1,2 1,2 1,2 1 1 1

Обозначения параметров в таблице:

- Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;

- Iк, и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

- Uкэ0 гр - граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю;

- Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

- Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

- Тк - температура корпуса;

- Тп max - максимально допустимая температура перехода;

- Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

- h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

- Uкб - постоянное напряжение коллектор-база;

- Iэ - постоянный ток эмиттера;

- Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

- fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

- Ск - емкость коллекторного перехода;

- Сэ - емкость эмиттерного перехода;

- tвкл - время включения для биполярного транзистора;

- tвыкл - время выключения для биполярного транзистора;

- Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.


Значения Uкэ0 гр…Uэб0 max, h21Э…tвыкл в таблице приведены при Тп = 25 ºС.


Минимальная наработка транзисторов в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 25000 ч, а в облегченном режиме при мощности 0,5, токах и напряжениях не более 0,7 максимально допустимых значений - 40000 ч.


Минимальный срок сохраняемости транзисторов при хранении в отапливаемом хранилище или в хранилище с кондиционированием воздуха, а также транзисторов, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет.


Возврат к списку новостей